聯(lián)發(fā)科宣布首款2nm芯片 功耗大幅降低25%
在半導(dǎo)體工藝競賽白熱化階段，聯(lián)發(fā)科率先打響2nm制程芯片攻堅戰(zhàn)。公司首席執(zhí)行官蔡力行在COMPUTEX 2025主題演講中表示，過去十年間，聯(lián)發(fā)科芯片已累計出貨超200億顆，相當(dāng)于全球人均持有2.5臺搭載其芯片的智能設(shè)備。這一數(shù)據(jù)背后，折射出聯(lián)發(fā)科在移動芯片市場的深厚積淀。
據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科首款2nm制程芯片將于2025年9月進(jìn)入流片階段，較3nm工藝實現(xiàn)性能躍升：晶體管密度提升15%，功耗大幅降低25%。
值得一提的是，該芯片將采用臺積電全新GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，其納米片結(jié)構(gòu)完全包裹柵極材料的設(shè)計，相較傳統(tǒng)FinFET架構(gòu)，在漏電控制與能效比方面實現(xiàn)突破性改進(jìn)。盡管爆料稱2025年發(fā)布的天璣9500仍沿用臺積電3nm制程，但聯(lián)發(fā)科已明確2026年下半年將推出旗艦級天璣9600，正式切入2nm賽道。
原標(biāo)題：9月流片！聯(lián)發(fā)科宣布首款2nm芯片
責(zé)任編輯：李曉靈
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