此前傳出三星GALAXY S7已經(jīng)開始測試的消息,并且有望再次重啟雙處理器平臺策略,至于其他可能裝載的新技術(shù)則沒有更多的消息。而現(xiàn)在,根據(jù)網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上披露的消息稱,UFS2.1將在今年下半年量產(chǎn),預(yù)計(jì)三星GALAXY S7將會首先搭載這項(xiàng)新技術(shù),并且明年的三星智能手機(jī)將全面引入Type-C以及USB PD標(biāo)準(zhǔn),這意味著未來的GALAXY S7將擁有更快的充電速度。
支持UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)
按照網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上的說法,2016年UFS2.0和emmc 5.1將在旗艦機(jī)型中得到普及,但三星GALAXY S7在閃存技術(shù)方面應(yīng)該依然會快人一步。由于UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存將在今年下半年量產(chǎn),因此預(yù)計(jì)將會首先使用到三星GALAXY S7上。
不過,目前還沒有UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存技術(shù)的更多信息被曝光,但相信應(yīng)該比現(xiàn)在應(yīng)用到三星GALAXY S6等機(jī)型的UFS2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存技術(shù)擁有更快的速度和更低的功耗,而這也意味著未來的GALAXY S7將會帶來更出色的性能表現(xiàn)和更快的手機(jī)讀取速度。