我國(guó)早期半導(dǎo)體硅材料奠基人梁駿吾院士逝世(簡(jiǎn)歷)
6月24日，中科院半導(dǎo)體所發(fā)布訃告：中國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家梁駿吾先生因病醫(yī)治無(wú)效，不幸于2022年6月23日17時(shí)在北京逝世，享年89歲。
梁駿吾院士1933年9月18日生于湖北武漢，1997年當(dāng)選中國(guó)工程院院士。他先后榮獲國(guó)家科委科技成果二等獎(jiǎng)和新產(chǎn)品二等獎(jiǎng)各1次，國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)1次、中科院重大成果和科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)3次、二等獎(jiǎng)4次，上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1次等各種科技獎(jiǎng)共20余次。
梁駿吾院士從事半導(dǎo)體材料科學(xué)研究工作六十多年，是我國(guó)早期半導(dǎo)體硅材料的奠基人。上世紀(jì)60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)；1964年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無(wú)位錯(cuò)、無(wú)旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶；80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問(wèn)題；90年代初研究 MOCVD 生長(zhǎng)超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國(guó)超晶格量子阱材料推進(jìn)到實(shí)用水平；他還在太陽(yáng)電池用多晶硅的研究和產(chǎn)業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。
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